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存储巨头退出的百亿美元市场,东芯半导体抢滩发力

在中国大力发展存储芯片的半导体产业环境下,可能很多人不知道,东芯半导体是目前国内唯一可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片设计公司。
 
东芯的三类存储产品定位不同,其中NOR Flash定位中高端、大容量。NAND Flash定位中低容量,DRAM也是中低容量。主要应用在嵌入式行业,包括通信光猫、监测、智能音箱、可穿戴产品、4G模块等等,以及智能手机、电视机、机顶盒,还有未来的无人驾驶,边缘计算等。据悉,东芯半导体已经与国内最大的通信公司达成合作,在2016年底开始大规模出货。

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“我们避开了三星、美光等行业巨头,不与他们直接竞争。这些巨头的存储芯片主要是大容量存储,我们的策略是国际巨头逐步要放弃的市场。据估算,这个市场的份额在100亿美金左右,其中70%的市场在中国。因此这个市场足够大,我们利用本土优势更贴近市场。”东芯半导体总经理王超分析说东芯的产品定位非常清晰,就是要巨头退出的市场,切入国产芯片进行替代。
 
中低容量存储不等于低端产品。产品方面,东芯半导体于2014年12月联合中芯国际共同开发了24nm的NAND Flash,于2015年10月成功流片国内首颗38nm 1Gb SPI NAND芯片,于2016年7月成功流片国内首颗24nm 4Gb SLC NAND芯片,于2017年9月成功流片国内首颗38nm 2Gb SPI NAND,使得中国存储芯片设计能力与国际先进的差距不断缩小。

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王超解析,大容量主要用于数据存储,中低容量用于程序存储、运算,这类存储对可靠性要求更高,同时工艺水平已经发展到极限,也就是2X纳米的2D NAND。目前东芯中低容量NAND的设计水平已与国际水平相当,并在国内保持领先。
 
2016年存储行业开启了大缺货时期,存储芯片价格爆涨。显然,东芯也受益了这波上涨的市场行情。如今存储芯片价格下跌,王超表示,早在去年初他们已经对下跌的形势有所预警,并提前做好准备,因此受影响程度不大。反而更关注存储市场未来的爆发机会。
 
王超说,东芯在产品规划上面也制定了五年战略,将继续专注中低容量存储,目标是做到国内市场份额的三分之一以上。针对车规级存储,计划三年内进军车规市场。目前,公司已完成A轮融资,引入了中芯聚源、中金锋泰等战略股东。三年内也希望借助资本助力将企业规模做大做强。

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